主なめっきプロセス |
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シリコンウエハー（半導体）上の無電解Ni-Auめっきプロセス（電極形成） |
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ネオジム-ボロン-鉄（Nd-B-Fe）上のNiめっきプロセス |
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ネオジム-ボロン-鉄（Nd-B-Fe）上のNi-Cu-Niめっきプロセス |
| 4 |
ネオジム-ボロン-鉄（Nd-B-Fe）上の無電解めっきプロセス |
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ネオジム-ボロン-鉄（Nd-B-Fe）上の高耐食性、電解めっきプロセス |
| 6 |
高周波誘電体のめっきによる電極形成プロセス |
| 7 |
PZT上のめっきによる電極形成プロセス |
| 8 |
Cu-W上のめっきプロセス（オール無電解Ni法） |
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ハーメチックシール（気密端子、水晶振動子）上の無電解Ni-Auめっきプロセス |
| 10 |
Aℓ2O3、AℓN上のWペースト上のNi-Auめっきプロセス（セラミックICパッケージ） |
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Ag、Ag-Pdペースト電極上の電解Ni-電解スズめっきプロセス（CR、チップコンデンサー） |
| 13 |
Ag-Cuロウ上の無電解めっきプロセス（コバール-Ag-Cuロウ） |
| 14 |
異種金属（PGA）上のNi-Au-Auめっきプロセス（セラミックスICパッケージ、W/B-Au） |
| 15 |
半導体電極上のNi-はんだバンプに関するめっきプロセス |
| 16 |
セラミックス、ガラス上Aℓ薄膜上の選択部分めっきプロセスNi-Au（CAT-92） |
| 17 |
半導体チップ上の薄型バンプUBMプロセス（CAT-920） |
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PCB、Cu配線パターン上の選択部分Ni-Auめっきプロセス（CAT-2000） |
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CAT-2500、2500-P（PCB）（Ni-Pd-FAu、Ni-PdP-FAu） |
| 21 |
CAT-2500、2500-P（LTCC）（Ni-Pd-FAu、Ni-PdP-FAu） |
| 22 |
Cr-Cu薄膜ファインパターン上の選択Ni-Auめっきプロセス（CAT-99） |
| 23 |
SLC、ビルドアップ基板上の選択部分Ni-Auめっきプロセス、BGA対応（CAT-900） |
| 24 |
ダブルニッケルめっきプロセス（二重ニッケルめっき）、高耐食性 |
| 25 |
フープ（ストリップ、鋼帯）上の電気めっきプロセス |
| 26 |
ステンレス、超硬（SKD）等上のめっきプロセス |
| 27 |
繊維、テキスタイル、発泡性樹脂上の化学めっきプロセス |
| 28 |
プラスチック上のめっきプロセス（プラめっき） |
| 29 |
微粉（Aℓ2O3、SiO2、マイカ、ダイヤモンド、Cu粉、樹脂粉）上の無電解めっきプロセス |
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ガラス金型上のめっきプロセス |
| 31 |
TiおよびTi合金上の各種めっきのための下地めっきプロセス |
| 32 |
ダイヤモンドの共析めっきプロセス（半導体ダイシングソウ、ドリル、CMP用ドレッサー） |
| 33 |
PTFE共析めっきプロセス |
| 34 |
潤滑めっきプロセス（共析めっきとは異なる） |
| 35 |
Aℓ部材上のめっきプロセス（代表的なADC-12材） |
| 36 |
WPCプロセス（スルーホールめっきプロセス） |
| 37 |
TICOMACプロセス（セラミックス上のCu配線パターン） |
| 38 |
セラミックスコンデンサー上のめっきによる電極形成プロセス |
| 39 |
ACF-プロセス（精密微細電鋳、マイクロフォトエレクトフォーミング） |
| 40 |
インコネル上の高密着性めっきプロセス（インコネル18用） |
| 41 |
快削鋼上の高耐食性無電解ニッケルめっきプロセス（オールアルカリ前処理法、クロム不要） |
| 42 |
亜鉛ダイキャスト上の電解めっきプロセス（ピンホールフリー、高耐食性、高密着性） |
| 43 |
ペルチエ素子上のめっきプロセス |
| 44 |
Be-Cu（ベリリウム-カッパー）上のめっきプロセス |
| 45 |
WMFプロセス（無電解めっき液の自社建浴プロセス） |
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